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「一分钟资讯」第444篇，感谢你的阅读。

三星 W23/W23 Flip 5G 官宣

最新一代三星 W23 5G 系列官宣将于 10 月 21 日 19:00 发布，将推出第 15 代双旗舰折叠屏手机。

根据此前放出的宣传图，今年的 W23 系列将有两款，预计分别是以横向折叠 Galaxy Z Fold 4 改版的三星 W23，还有以竖向折叠 Galaxy Z Flip 4 进行改版的三星 W23 Flip。

从海报可以看到，两款新机都将印有“心系天下”的红色。

作为配置参考，Galaxy Z Fold 4 /Z Flip 4 均搭载 8+ Gen 1器。其中 Galaxy Z Fold4 搭载一块 7.6 英寸 2176×1812 分辨率 Dynamic AMOLED 内屏，以及一块 6.2 英寸 2316×904 分辨率外屏，均支持 120Hz 刷新率。后置 5000 万像素主摄 +1200 万限速超广角 +1000 万像素长焦（3 倍光变）三摄方案，前置 1000 万像素摄像头，内屏为屏下 万像素摄像头。电池容量为 4mAh，支持 25W 快充 + 15W 无线充电功能（不附赠充电器）。

Galaxy Z Flip4 配备一块 6.7 英寸 2640 x 1080 分辨率，120Hz 刷新率内屏以及一块 1.9 英寸外屏。整机 71.9 x 165.2 x 6.9mm，重量 187g。后置双 1200 万像素摄像头，前置 1000 万像素单摄。辅以 3700mAh 电池，支持 25W 有线 +10W 无线充电功能，同样支持 IPX8 防水功能。

与此同时，iQOO Neo7 已经正式现身 Geekbench 跑分网站。测试版本为 12GB 运存版机型。最终在 Geekbench 5 测试中取得了单核心 1231 分，多核心 4251 分的测试。符合天玑 9000+器的性能释放。而天玑 9000+ 基本可以看做上半年天玑 9000 的官方超频版本，整体性能在下一代安卓旗舰 Soc 尚未发布前仍与骁龙 8 + Gen 1 伯仲之间。

其他配置，结合以往爆料 iQOO Neo7 还将搭载一块 1080P 分辨率、120Hz 刷新率高刷电竞直屏，后置索尼 IMX766V 主摄，搭载屏下指纹识别、NFC、红外遥控、线性马达等配置功能。

小米 Redmi K60 现身数据库

POCO F5（Redmi K60 国际版）现身 IMEI 数据库，代号为 23013PC75G，将配备高通骁龙 8+ Gen 1 芯片，120Hz 2K 显示屏，最高亮度可达 1000 尼特。

结合此前爆料，Redmi K60 和 POCO F5 将会在明年第一季度正式上市，无缘高通骁龙 8 Gen 2 芯片，或配备 67W 有线快充和 30W 无线快充。

Redmi Note 12 将搭载天玑 1080 芯片

联发科发布了新款中档芯片天玑 1080，台积电 6nm 工艺，相比天玑 920 芯片性能略有更新。

该机型八核 CPU：2 个 ARM Cortex-A78 核心，频率高达 2.6GHz。6 个 ARM Cortex-A55 核心，频率高达 2GHz。GPU 仍是 Mali-G68。

荣耀 80版或搭载天玑 1080

就在联发科天玑 1080 芯片发布后不久，数码博主数码闲聊站爆料称荣耀某系列机型将会搭载该款器。

该消息源指出，该系列将会三款型号，自下而上分别搭载联发科天玑 1080、高通骁龙 778G 以及高通骁龙 8 + Gen 1 芯片，还将搭载新主摄，支持百瓦闪充等配置功能。而荣耀当前的线划分来看，不出意外该系列应该就是荣耀 80 系列手机，也是荣耀线下的主推型号之一。

天玑 1080 芯片发布

联发科正式发布了旗下新款中端移动平台天玑 1080器。其市场定位为天玑 920 的换代。

具体规格上，天玑 1080 基于台积电 6nm 工艺制程，2+6 八核心设计，具体为 2 颗 2.6GHz 主频 ARM Cortex-A78 大核心 +6 颗 2GHz 主频 ARM Cortex-A55 小核心，GPU 仍是 Mali-G68。根据其他爆料信息来看，该款器将主打低功耗，其性能与高通旗下中端骁龙 778G 较为接近，以 2022 年的性能需求来看可以说较为主流。相比之下，天玑 1080 主要加入了 2 亿像素主摄、四摄像头、 LPDDR5 内存和 UFS 3.1 闪充等支持更为实际。

骁龙 8 Gen2 将在 11 月发布

据曝光，高通将会在 11 月 15 日-17 日举行新一期骁龙峰会，而新的旗舰芯片骁龙 8 Gen2 也将在那时发布。年底或迎来又一轮旗舰新机潮。

此前曾有博主曝光，这一代骁龙旗舰芯片相比骁龙 8+ Gen1，在 CPU 方面提升 10%，能效提升 15%；而 GPU 性能提升 20%，且继续台积电 4nm 制程工艺，热量控制水平或有较大提升。

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